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Herstellerteilenummer | LAV35VB3R3K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LAV35VB3R3K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LA, V Type |
LAV35VB3R3K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | - |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 610mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 35MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.236" Dia (6.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB3R3K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LAV35VB3R3K-FT |
LAN02TAR68K
Taiyo Yuden
LAN02TAR82K
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XA6SLX45-3CSG484I
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XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation