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Herstellerteilenummer | LB2012T4R7M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LB2012T4R7M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB |
LB2012T4R7M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 190mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 400 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 45MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2012T4R7M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LB2012T4R7M-FT |
CK21253R3M-T
Taiyo Yuden
CK21256R8M-T
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CK2125R15M-T
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CK2125R22M-T
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CK2125R33M-T
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CK2125R68M-T
Taiyo Yuden
CKS21251R0M-T
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CKS21254R7M-T
Taiyo Yuden
HK212510NJ-T
Taiyo Yuden
HK212510NK-T
Taiyo Yuden
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel