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Herstellerteilenummer | LB2012T6R8M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LB2012T6R8M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB |
LB2012T6R8M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 6.8µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 135mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 470 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 38MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2012T6R8M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LB2012T6R8M-FT |
LBM2016T220JV
Taiyo Yuden
LBM2016T270JV
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LBM2016T2R2JV
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LBM2016T330JV
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XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
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AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
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5SGXEABK1H40C2N
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LFE2M35E-5F672C
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LCMXO2-4000HC-5MG132C
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