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Herstellerteilenummer | LBM2016T180JV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBM2016T180JV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, M Type |
LBM2016T180JV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 18µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 150mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3.25 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 2.52MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 18MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T180JV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBM2016T180JV-FT |
CB2016T6R8M
Taiyo Yuden
CBC2016T100K
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CBC2016T220K
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CBC2016T220M
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CBC2016T470M
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LB2016T100KV
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LB2016T220KV
Taiyo Yuden
LB2016T330K
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LB2016T4R7M
Taiyo Yuden
LBC2016T100M
Taiyo Yuden
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel