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Herstellerteilenummer | LBM2016T1R0JV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBM2016T1R0JV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, M Type |
LBM2016T1R0JV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 385mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 494 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 220MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T1R0JV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBM2016T1R0JV-FT |
CBC2016T100K
Taiyo Yuden
CBC2016T220K
Taiyo Yuden
CBC2016T220M
Taiyo Yuden
CBC2016T470M
Taiyo Yuden
LB2016T100KV
Taiyo Yuden
LB2016T220KV
Taiyo Yuden
LB2016T330K
Taiyo Yuden
LB2016T4R7M
Taiyo Yuden
LBC2016T100M
Taiyo Yuden
LBM2016T101J
Taiyo Yuden
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel