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Herstellerteilenummer | LBM2016T1R8J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBM2016T1R8J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, M Type |
LBM2016T1R8J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1.8µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 345mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 480 mOhm |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 100MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T1R8J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBM2016T1R8J-FT |
LBC2518T150K
Taiyo Yuden
LBC2518T150KV
Taiyo Yuden
LBC2518T150M
Taiyo Yuden
LBC2518T150MV
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LBC2518T151KV
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LBC2518T151M
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LBC2518T151MV
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LBC2518T1R0M
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LBC2518T1R0MRV
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LBC2518T1R0MV
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel