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Herstellerteilenummer | LBM2016T3R9JV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBM2016T3R9JV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, M Type |
LBM2016T3R9JV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 3.9µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 275mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 962 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 43MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T3R9JV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBM2016T3R9JV-FT |
CKP20161R5M-T
Taiyo Yuden
CKP20162R2M-T
Taiyo Yuden
CKP20163R3M-T
Taiyo Yuden
CKP2016R47M-T
Taiyo Yuden
CB2016T100K
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CB2016T100KV
Taiyo Yuden
CB2016T100M
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CB2016T101KV
Taiyo Yuden
CB2016T101M
Taiyo Yuden
CB2016T150K
Taiyo Yuden
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Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel