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Herstellerteilenummer | LBM2016T820JV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBM2016T820JV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, M Type |
LBM2016T820JV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 82µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 85mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 10.01 Ohm Max |
Q @ Freq | 20 @ 2.52MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 10MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T820JV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBM2016T820JV-FT |
CB2016T1R0MV
Taiyo Yuden
CB2016T1R5M
Taiyo Yuden
CB2016T220KV
Taiyo Yuden
CB2016T220M
Taiyo Yuden
CB2016T2R2MV
Taiyo Yuden
CB2016T3R3M
Taiyo Yuden
CB2016T470M
Taiyo Yuden
CB2016T470MV
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CB2016T4R7M
Taiyo Yuden
CB2016T4R7MV
Taiyo Yuden
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation