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Herstellerteilenummer | LBM2016T8R2JV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBM2016T8R2JV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, M Type |
LBM2016T8R2JV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 225mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.43 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 30MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T8R2JV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBM2016T8R2JV-FT |
CB2016T220KV
Taiyo Yuden
CB2016T220M
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CB2016T2R2MV
Taiyo Yuden
CB2016T3R3M
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CB2016T470M
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CB2016T470MV
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CB2016T4R7M
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CB2016T4R7MV
Taiyo Yuden
CB2016T680K
Taiyo Yuden
CBC2016T101K
Taiyo Yuden
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel