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Herstellerteilenummer | LBM2016T8R2J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBM2016T8R2J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, M Type |
LBM2016T8R2J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 225mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.1 Ohm |
Q @ Freq | 25 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 30MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T8R2J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBM2016T8R2J-FT |
CB2016T1R5M
Taiyo Yuden
CB2016T220KV
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CB2016T220M
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CB2016T2R2MV
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CB2016T3R3M
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CB2016T470M
Taiyo Yuden
CB2016T470MV
Taiyo Yuden
CB2016T4R7M
Taiyo Yuden
CB2016T4R7MV
Taiyo Yuden
CB2016T680K
Taiyo Yuden
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel