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Herstellerteilenummer | LBM2016TR12JV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBM2016TR12JV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, M Type |
LBM2016TR12JV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 120nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 610mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 169 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 600MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016TR12JV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBM2016TR12JV-FT |
CB2016T220M
Taiyo Yuden
CB2016T2R2MV
Taiyo Yuden
CB2016T3R3M
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CB2016T470M
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CB2016T470MV
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CB2016T4R7M
Taiyo Yuden
CB2016T4R7MV
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CB2016T680K
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CBC2016T101K
Taiyo Yuden
CBC2016T150M
Taiyo Yuden
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel