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Herstellerteilenummer | LBM2016TR82JV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBM2016TR82JV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, M Type |
LBM2016TR82JV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 820nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 390mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 442 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 250MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016TR82JV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBM2016TR82JV-FT |
CBC2016T4R7M
Taiyo Yuden
CBC2016T680K
Taiyo Yuden
CBC2016T680M
Taiyo Yuden
CBC2016T6R8M
Taiyo Yuden
LB2016T100K
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LB2016T101K
Taiyo Yuden
LB2016T101KV
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LB2016T101M
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LB2016T150K
Taiyo Yuden
LB2016T150M
Taiyo Yuden
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel