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Herstellerteilenummer | LBR2012T100M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBR2012T100M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, R Type |
LBR2012T100M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 150mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 360 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 32MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T100M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBR2012T100M-FT |
LB2016T6R8M
Taiyo Yuden
LBC2016T101K
Taiyo Yuden
LBC2016T101M
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LBC2016T150K
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LBC2016T150M
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LBC2016T1R0M
Taiyo Yuden
LBC2016T1R0MV
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LBC2016T1R5M
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LBC2016T220K
Taiyo Yuden
LBC2016T220M
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel