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Herstellerteilenummer | LBR2012T2R2MV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBR2012T2R2MV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, R Type |
LBR2012T2R2MV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 260mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 130 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 80MHz |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T2R2MV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBR2012T2R2MV-FT |
HK21251N5S-T
Taiyo Yuden
HK21251N8S-T
Taiyo Yuden
HK212522NK-T
Taiyo Yuden
HK212527NK-T
Taiyo Yuden
HK21252N2S-T
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HK212533NJ-T
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HK212533NK-T
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HK212539NJ-T
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HK212539NK-T
Taiyo Yuden
HK21253N3K-T
Taiyo Yuden
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel