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Herstellerteilenummer | LBR2518T470KV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBR2518T470KV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, R Type |
LBR2518T470KV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 47µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 120mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 840 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 11MHz |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1007 (2518 Metric) |
Supplier Device Package | 1007 (2518 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.071" W (2.50mm x 1.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2518T470KV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBR2518T470KV-FT |
LB2518T1R0MV
Taiyo Yuden
LB2518T1R5M
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LB2518T1R5MV
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LB2518T220MV
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LB2518T221MV
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LB2518T2R2M
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ICE40HX1K-VQ100
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XC3S200-4VQ100I
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Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152I4N
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