Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / LD411660
Herstellerteilenummer | LD411660 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-LD411660 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
LD411660 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 600A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 40mA @ 1600V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | POW-R-BLOK™ Module |
Supplier Device Package | POW-R-BLOK™ Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LD411660 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LD411660-FT |
FML-14S
Sanken
FMM-24S
Sanken
FMU-12S
Sanken
FML-12S
Sanken
FMX-23S
Sanken
FML-23S
Sanken
FMU-26R
Sanken
FMXA-2202S
Sanken
FMB-26
Sanken
FMM-22S
Sanken
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel