Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / LDR31850
Herstellerteilenummer | LDR31850 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LDR31850 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
LDR31850 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Series Connection - SCR/Diode |
Anzahl der SCRs, Dioden | 2 SCRs |
Spannung - Aus-Zustand | 1800V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 500A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 785A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 2.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 250mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 18000A, 20000A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 300mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | POW-R-BLOK™ Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LDR31850 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LDR31850-FT |
VS-VSKU26/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU26/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU56/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XCV200E-6FG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H2F35I2L
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1761C
Xilinx Inc.
10AX066K3F35E2LG
Intel
EP2AGX125EF29C4
Intel