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Herstellerteilenummer | LHL10NB3R3M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LHL10NB3R3M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LH, L Type |
LHL10NB3R3M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 4.2A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 19 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 46MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.433" Dia (11.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.551" (14.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10NB3R3M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LHL10NB3R3M-FT |
LHL08NB2R2M
Taiyo Yuden
LHL08NB2R7M
Taiyo Yuden
LHL08NB330K
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LHL08NB3R3M
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation