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Herstellerteilenummer | LHL10NB562J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LHL10NB562J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LH, L Type |
LHL10NB562J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 5.6mH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 170mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 9 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 252kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 410kHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 252kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.433" Dia (11.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.551" (14.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10NB562J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LHL10NB562J-FT |
LHL08NB3R3M
Taiyo Yuden
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A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel