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Herstellerteilenummer | LHL10TB123J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LHL10TB123J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LH, L Type |
LHL10TB123J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 12mH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 110mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 21 Ohm Max |
Q @ Freq | 60 @ 79.6kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 270kHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.433" Dia (11.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.551" (14.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10TB123J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LHL10TB123J-FT |
LHL08TB122J
Taiyo Yuden
LHL08TB123J
Taiyo Yuden
LHL08TB150K
Taiyo Yuden
LHL08TB151K
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LHL08TB180K
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LHL08TB181K
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LHL08TB182J
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LHL08TB183J
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LHL08TB1R0N
Taiyo Yuden
LHL08TB1R5M
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel