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Herstellerteilenummer | LHL10TB3R9M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LHL10TB3R9M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LH, L Type |
LHL10TB3R9M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 3.9µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 4.1A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 22 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 40MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.433" Dia (11.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.551" (14.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10TB3R9M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LHL10TB3R9M-FT |
LHL08TB561K
Taiyo Yuden
LHL08TB562J
Taiyo Yuden
LHL08TB5R6M
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LHL08TB8R2M
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EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel