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Herstellerteilenummer | LHL10TB8R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LHL10TB8R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LH, L Type |
LHL10TB8R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 3.3A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 31 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 24MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.433" Dia (11.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.551" (14.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10TB8R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LHL10TB8R2M-FT |
LHL10NB124J
Taiyo Yuden
LHL10NB150K
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A3P600L-FGG484
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel