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Herstellerteilenummer | LHL10TB8R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LHL10TB8R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LH, L Type |
LHL10TB8R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 3.3A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 31 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 24MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.433" Dia (11.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.551" (14.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10TB8R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LHL10TB8R2M-FT |
LHL10NB124J
Taiyo Yuden
LHL10NB150K
Taiyo Yuden
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XC6SLX9-2FT256C
Xilinx Inc.
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation