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Herstellerteilenummer | LL2012-F1N8S |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LL2012-F1N8S |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MLZ |
LL2012-F1N8S Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 15µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 350mA |
Strom - Sättigung | 90mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 470 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LL2012-F1N8S Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LL2012-F1N8S-FT |
IMC0805ERR15K
Vishay Dale
IMC0805ERR18J
Vishay Dale
IMC0805ERR22J
Vishay Dale
IMC0805ERR22K
Vishay Dale
IMC0805ERR27J
Vishay Dale
IMC0805ERR27K
Vishay Dale
IMC0805ERR33J
Vishay Dale
IMC0805ERR39J
Vishay Dale
IMC0805ERR39K
Vishay Dale
IMC0805ERR47J
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel