Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / LND150K1-G
Herstellerteilenummer | LND150K1-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LND150K1-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
LND150K1-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LND150K1-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LND150K1-G-FT |
PSMN011-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN013-100YSEX
Nexperia USA Inc.
PSMN014-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN015-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN018-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN019-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN023-40YLCX
NXP USA Inc.
PSMN030-60YS,115
Nexperia USA Inc.
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel