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Herstellerteilenummer | LQW18AN4N9C80D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LQW18AN4N9C80D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LQW18 |
LQW18AN4N9C80D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 4.9nH |
Toleranz | ±0.2nH |
Aktuelle Bewertung | 1.2A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 81 mOhm Max |
Q @ Freq | 23 @ 250MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 7.3GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0603 (1608 Metric) |
Supplier Device Package | 0603 (1608 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN4N9C80D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LQW18AN4N9C80D-FT |
LQW18CN85NJ00D
Murata Electronics North America
LQW18CNR39J00D
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LQW18CNR21J00D
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel