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Herstellerteilenummer | LQW18AN52NJ80D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LQW18AN52NJ80D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LQW18 |
LQW18AN52NJ80D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 52nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 750mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 270 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 200MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 2.75GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0603 (1608 Metric) |
Supplier Device Package | 0603 (1608 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN52NJ80D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LQW18AN52NJ80D-FT |
LQW18CN55NJ00D
Murata Electronics North America
LQW18CNR10K00D
Murata Electronics North America
LQW18CNR12J00D
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LQW18CNR16J00D
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LQW18AN10NG8ZD
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LQW18AN10NJ10D
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LQW18AN11NG80D
Murata Electronics North America
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel