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Herstellerteilenummer | LQW18ANR10G80D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LQW18ANR10G80D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LQW18 |
LQW18ANR10G80D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 100nH |
Toleranz | ±2% |
Aktuelle Bewertung | 490mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 630 mOhm Max |
Q @ Freq | 34 @ 150MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 1.75GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0603 (1608 Metric) |
Supplier Device Package | 0603 (1608 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18ANR10G80D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LQW18ANR10G80D-FT |
LQW18AN33NJ80D
Murata Electronics North America
LQW18AN34NG80D
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LQW18AN34NJ80D
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LCMXO1200C-4T100I
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XCV800-5FG676C
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M1A3P600-FG256I
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A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
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XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel