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Herstellerteilenummer | LQW18AS15NG0ZD |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LQW18AS15NG0ZD |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LQW18 |
LQW18AS15NG0ZD Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 15nH |
Toleranz | ±2% |
Aktuelle Bewertung | 700mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 170 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 250MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 4GHz |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 250MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0603 (1608 Metric) |
Supplier Device Package | 0603 (1608 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS15NG0ZD Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LQW18AS15NG0ZD-FT |
LQW18AN47NG8ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN47NJ8ZD
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LQW18AN48NG8ZD
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel