Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / LS412660
Herstellerteilenummer | LS412660 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LS412660 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
LS412660 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 2600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 600A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.18V @ 1500A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 40mA @ 2600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | POW-R-BLOK™ Module |
Supplier Device Package | POW-R-BLOK™ Module |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS412660 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LS412660-FT |
EGL41BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel