Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / M10H100HE3_A/P
Herstellerteilenummer | M10H100HE3_A/P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-M10H100HE3_A/P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
M10H100HE3_A/P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M10H100HE3_A/P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | M10H100HE3_A/P-FT |
JANTXV1N3768R
Microsemi Corporation
JANTXV1N3893
Microsemi Corporation
JANTXV1N3911
Microsemi Corporation
JANTXV1N3912
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UB
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UB2
Microsemi Corporation
JANTXV1N4153-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4153UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N5187
Microsemi Corporation
JANTXV1N5188
Microsemi Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel