Zuhause / Produkte / Elektronische Bauteile / Halbleiterteile / M2U51264DS8HB3G-6K
Herstellerteilenummer | M2U51264DS8HB3G-6K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-M2U51264DS8HB3G-6K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Tray |
M2U51264DS8HB3G-6K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Art | - |
Eigenschaften | - |
Spannungsversorgung | - |
Datenschnittstelle | - |
RAM-Gesamtbits | - |
Anzahl der E / A | - |
Kapazität | - |
Widerstand | - |
Toleranz | - |
Befestigungsart | SMD or Through Hole |
Betriebstemperatur | Contact us |
Paket / fall | Original |
Größe / Abmessung | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M2U51264DS8HB3G-6K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | M2U51264DS8HB3G-6K-FT |
36H3646
Original
370-4289-01
Original
39147387
Original
402833-762
Original
44.7360MHZ
Original
57S5ISGL-1AAG
Original
64415ESEM4G05T
Original
69002001-H00-NTA-T
Original
70V24VL55BZI (SCD3153)
Original
77.G1128.40G
Original
XC4006E-4TQ144I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG484I
Microsemi Corporation
AGL600V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7N
Intel
EP3C16F256C7
Intel
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
5SGXEA3H2F35C1N
Intel