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Herstellerteilenummer | M95512-DRMN8TP/K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-M95512-DRMN8TP/K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRMN8TP/K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EEPROM |
Technologie | EEPROM |
Speichergröße | 512Kb (64K x 8) |
Taktfrequenz | 16MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 4ms |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | SPI |
Spannungsversorgung | 1.8V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRMN8TP/K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | M95512-DRMN8TP/K-FT |
70V5388S166BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
BQ2024DBZR
Texas Instruments
BQ2024DBZRG4
Texas Instruments
BQ2022ADBZR
Texas Instruments
BQ2022ADBZRG4
Texas Instruments
BQ2026DBZR
Texas Instruments
BQ2022DBZR
Texas Instruments
BQ2022DBZRG4
Texas Instruments
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel