Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MA2S1110GL
Herstellerteilenummer | MA2S1110GL |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MA2S1110GL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MA2S1110GL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 100mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 3ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 75V |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-79, SOD-523 |
Supplier Device Package | SSMini2-F4 |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2S1110GL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MA2S1110GL-FT |
RFN10B3STL
Rohm Semiconductor
RFN3BM2STL
Rohm Semiconductor
RFN3BM6STL
Rohm Semiconductor
RFN5B6STL
Rohm Semiconductor
RFN5BM2STL
Rohm Semiconductor
RFN5BM3STL
Rohm Semiconductor
RFN5BM6STL
Rohm Semiconductor
RB531ES-30T15R
Rohm Semiconductor
RSX201VAM30TR
Rohm Semiconductor
RSX051VAM30TR
Rohm Semiconductor
A1020B-2VQ80C
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LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
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XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel