Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / MA3G655
Herstellerteilenummer | MA3G655 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MA3G655 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MA3G655 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 20µA @ 300V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TOP-3F |
Supplier Device Package | TO-3F-A1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA3G655 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MA3G655-FT |
FMB-2204
Sanken
FMEN-2208
Sanken
FMEN-220A
Sanken
FMEN-230A
Sanken
FMG-24S
Sanken
FMG-26R
Sanken
FMG-26S
Sanken
FMJ-2303
Sanken
FMJ-23L
Sanken
FML-24S
Sanken
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144A
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1SBG484C
Xilinx Inc.
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel
EPF10K50EQC208-3
Intel