Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / MA3G655
Herstellerteilenummer | MA3G655 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MA3G655 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MA3G655 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 20µA @ 300V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TOP-3F |
Supplier Device Package | TO-3F-A1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA3G655 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MA3G655-FT |
FMB-2204
Sanken
FMEN-2208
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FMEN-220A
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FMEN-230A
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FMG-24S
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FMJ-2303
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FMJ-23L
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XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel