Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / MA4E1319-1
Herstellerteilenummer | MA4E1319-1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MA4E1319-1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MA4E1319-1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky - Tee |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 7V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Paket / fall | Die |
Supplier Device Package | Die |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4E1319-1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MA4E1319-1-FT |
HSCH-5531
Broadcom Limited
HPND-4028
Broadcom Limited
HMPS-2822-BLK
Broadcom Limited
HSMP-386J-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR2G
Broadcom Limited
BA979-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel