Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / MA4E2200E1-1068T
Herstellerteilenummer | MA4E2200E1-1068T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MA4E2200E1-1068T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MA4E2200E1-1068T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 2 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1.5V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | - |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4E2200E1-1068T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MA4E2200E1-1068T-FT |
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
BA792,115
NXP USA Inc.
BAP51-03,115
NXP USA Inc.
BA591,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,135
NXP USA Inc.
BAP70-03,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,115
NXP USA Inc.
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel