Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / MA4P7001F-1072T
Herstellerteilenummer | MA4P7001F-1072T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MA4P7001F-1072T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MA4P7001F-1072T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 100V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | - |
Widerstand @ If, F | 900 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 10W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Paket / fall | 2-SMD |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P7001F-1072T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MA4P7001F-1072T-FT |
BYM359X-1500,127
NXP USA Inc.
BAP64Q,125
NXP USA Inc.
BAP70Q,125
NXP USA Inc.
1PS66SB17,115
Nexperia USA Inc.
BAP55LX,315
NXP USA Inc.
BAP1321LX,315
NXP USA Inc.
BAP51L,315
NXP USA Inc.
BAP55L,315
NXP USA Inc.
BA891,115
NXP USA Inc.
BAP64-02,115
NXP USA Inc.
LFXP3E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
EP2AGX125EF29C6N
Intel