Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / MA4P7470F-1072T
Herstellerteilenummer | MA4P7470F-1072T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MA4P7470F-1072T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MA4P7470F-1072T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - max | 150mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.7pF @ 100V, 100MHz |
Widerstand @ If, F | 800 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 4W |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Paket / fall | 2-SMD |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P7470F-1072T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MA4P7470F-1072T-FT |
BAP65-02,115
NXP USA Inc.
BAP70-02,115
NXP USA Inc.
BAP50-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,135
NXP USA Inc.
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
XA3S250E-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S400A-5FGG320C
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ240
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF484C7G
Intel
5SGXMA3E1H29C1N
Intel
EP4SGX360FH29I3N
Intel
EP4SE530F43I4N
Intel
LFE3-17EA-7LMG328C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29C4N
Intel