Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / MA4P7470F-1072T
Herstellerteilenummer | MA4P7470F-1072T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MA4P7470F-1072T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MA4P7470F-1072T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - max | 150mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.7pF @ 100V, 100MHz |
Widerstand @ If, F | 800 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 4W |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Paket / fall | 2-SMD |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P7470F-1072T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MA4P7470F-1072T-FT |
BAP65-02,115
NXP USA Inc.
BAP70-02,115
NXP USA Inc.
BAP50-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,135
NXP USA Inc.
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
10CL010YM164I7G
Intel
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I3
Intel
EP1S30F780C6
Intel