Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MAP4KE51AE3
Herstellerteilenummer | MAP4KE51AE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MAP4KE51AE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP4KE51AE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 43.6V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 48.5V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 70.1V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 5.7A |
Leistung - Spitzenimpuls | 400W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP4KE51AE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MAP4KE51AE3-FT |
MAP4KE130CA
Microsemi Corporation
MAP4KE130CAE3
Microsemi Corporation
MAP4KE13A
Microsemi Corporation
MAP4KE13AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE13CA
Microsemi Corporation
MAP4KE13CAE3
Microsemi Corporation
MAP4KE150A
Microsemi Corporation
MAP4KE150AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE150CA
Microsemi Corporation
MAP4KE150CAE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel