Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MAP6KE13AE3
Herstellerteilenummer | MAP6KE13AE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MAP6KE13AE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE13AE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 11.1V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 12.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 18.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 33A |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | T-18, Axial |
Supplier Device Package | T-18 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE13AE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MAP6KE13AE3-FT |
MALCE120A
Microsemi Corporation
MALCE120AE3
Microsemi Corporation
MALCE12A
Microsemi Corporation
MALCE12AE3
Microsemi Corporation
MALCE130A
Microsemi Corporation
MALCE130AE3
Microsemi Corporation
MALCE13A
Microsemi Corporation
MALCE13AE3
Microsemi Corporation
MALCE14A
Microsemi Corporation
MALCE14AE3
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel