Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MAPRST0912-350
Herstellerteilenummer | MAPRST0912-350 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MAPRST0912-350 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MAPRST0912-350 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 65V |
Frequenz - Übergang | 1.215GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | 9.4dB |
Leistung max | 350W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | - |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 32.5A |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAPRST0912-350 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MAPRST0912-350-FT |
AT-32032-TR2G
Broadcom Limited
AT-41532-BLKG
Broadcom Limited
AT-41532-TR1
Broadcom Limited
AT-41532-TR1G
Broadcom Limited
AT-41532-TR2G
Broadcom Limited
SD1477
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SD1488
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SD1274-01
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SD1275-01
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SD1446
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A1415A-PQG100C
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A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C7ES
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
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EP3SL150F1152C4
Intel
EP3SL200F1152C4N
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EP4SGX530HH35C3NES
Intel
LFE2-6SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation