Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MASMBJ10AE3
Herstellerteilenummer | MASMBJ10AE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MASMBJ10AE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMBJ10AE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 10V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 11.1V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 17V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 35.3A |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | SMBJ (DO-214AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMBJ10AE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MASMBJ10AE3-FT |
SMBJ8.0CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.0E3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.5AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.5CAE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.5CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.5E3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ9.0AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ9.0CAE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ9.0CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ9.0E3/TR13
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel