Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MAX2601ESA-T
Herstellerteilenummer | MAX2601ESA-T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MAX2601ESA-T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MAX2601ESA-T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 1GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 836MHz |
Gewinnen | 11.6dB |
Leistung max | 6.4W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 250mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1.2A |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Supplier Device Package | 8-SOIC-EP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAX2601ESA-T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MAX2601ESA-T-FT |
BFU530WF
NXP USA Inc.
BFU530WX
NXP USA Inc.
BFU550WF
NXP USA Inc.
BFQ67W,115
NXP USA Inc.
BFQ67W,135
NXP USA Inc.
BFR92AW,115
NXP USA Inc.
BFR92AW,135
NXP USA Inc.
BFR93AW,115
NXP USA Inc.
BFR93AW,135
NXP USA Inc.
BFR94AW,115
NXP USA Inc.
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel