Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MB10H100HE3_A/P
Herstellerteilenummer | MB10H100HE3_A/P |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MB10H100HE3_A/P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
MB10H100HE3_A/P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10H100HE3_A/P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MB10H100HE3_A/P-FT |
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS33-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS34-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT41-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT41-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel