Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / MB12S-TP
Herstellerteilenummer | MB12S-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MB12S-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MB12S-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Schottky |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 20V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-269AA, 4-BESOP |
Supplier Device Package | MBS-1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB12S-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MB12S-TP-FT |
TS25P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
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5SGXEA7H2F35C2
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EP3SL340H1152I4LN
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LFE2M70SE-6FN900C
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LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
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10AX115N3F45I2SGE2
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EP2SGX60DF780C3N
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