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Herstellerteilenummer | MBR10100CD-G1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR10100CD-G1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR10100CD-G1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | TO-252-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100CD-G1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR10100CD-G1-FT |
VS-VSKD56/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD56/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel