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Herstellerteilenummer | MBR10200CS2TR-E1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR10200CS2TR-E1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR10200CS2TR-E1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CS2TR-E1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR10200CS2TR-E1-FT |
SDHD5K
Semtech Corporation
SDHD5KM
Semtech Corporation
SDHN15K
Semtech Corporation
SDHN5KM
Semtech Corporation
SDHN5KS
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SDHP10KS
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SDHP15KM
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SDHP5KS
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AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel