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Herstellerteilenummer | MBR10200CT-E1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR10200CT-E1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR10200CT-E1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CT-E1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR10200CT-E1-FT |
MBRF30L60CTG
ON Semiconductor
MA3D750
Panasonic Electronic Components
MURF1660CTG
ON Semiconductor
NTSJ30U100CTG
ON Semiconductor
MA3D752A
Panasonic Electronic Components
DSA20C100PN
IXYS
STPS30M80CFP
STMicroelectronics
MA3D649
Panasonic Electronic Components
VS-20CTH03FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32-TQG144
Microsemi Corporation
XC5204-6VQ100C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
EP4CE22F17I7N
Intel
XCV50-6BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel