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Herstellerteilenummer | MBR10200CTF-G1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR10200CTF-G1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR10200CTF-G1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Supplier Device Package | TO-220F-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CTF-G1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR10200CTF-G1-FT |
SDHN15K
Semtech Corporation
SDHN5KM
Semtech Corporation
SDHN5KS
Semtech Corporation
SDHN7.5K
Semtech Corporation
SDHP10KS
Semtech Corporation
SDHP15KM
Semtech Corporation
SDHP5KM
Semtech Corporation
SDHP5KS
Semtech Corporation
SDHP7.5K
Semtech Corporation
SET030111
Semtech Corporation
MPF300TL-FCG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484C7
Intel
10AX027E3F27I2LG
Intel
10M08SCU169A7G
Intel
5SGXMBBR2H43I2LN
Intel
XC7K160T-1FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU5P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1
Intel
EP20K200CB356C7
Intel