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Herstellerteilenummer | MBR1060CTF-G1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR1060CTF-G1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR1060CTF-G1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 60V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Supplier Device Package | TO-220F-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1060CTF-G1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR1060CTF-G1-FT |
SDHN5KM
Semtech Corporation
SDHN5KS
Semtech Corporation
SDHN7.5K
Semtech Corporation
SDHP10KS
Semtech Corporation
SDHP15KM
Semtech Corporation
SDHP5KM
Semtech Corporation
SDHP5KS
Semtech Corporation
SDHP7.5K
Semtech Corporation
SET030111
Semtech Corporation
SET030511
Semtech Corporation
EP20K160ETC144-1X
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XC6SLX45-L1FGG484C
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AGLN250V5-ZCSG81I
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EPF10K100EFC484-1N
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EPF10K30AFC484-3
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5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
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EPF10K50VBC356-4N
Intel